Коэффициент шума каскада на полевом транзисторе. Как уже отмечалось, выражение является общим и справедливо для всех каскадов резонансных усилителей на транзисторах и электронных лампах. Расчетные соотношения для коэффициента шума каскада на полевом транзисторе легко получить путем подстановки в соотношений для шумовых параметров полевого транзистора. Принимая в качестве основной схему включения полевого транзистора с общим истоком и подставляя в соотношения, получим выражение для коэффициента шума каскада на полевом транзисторе. Если шумы не соответствуют представленной формуле, следует произвести диагностику и ремонт, если не подлежит ремонту, то выгодная скупка разъемов, транзисторов, реле и других радиодеталей в специальном сервисе, решит проблему.
При настройке входного контура каскада на среднюю частоту спектра усиливаемого сигнала выражение принимает вид. В каскадах на полевых транзисторах, как и в каскадах на биполярных транзисторах, целесообразно использовать один из двух режимов работы: согласования или оптимального рассогласования.
Учитывая, что на достаточно высоких частотах для полевых транзисторов в отдельных случаях может выполняться условие. При выборе коэффициентов трансформации во входном контуре каскадов на полевых транзисторах можно руководствоваться соображениями, для каскадов на биполярных транзисторах.
Пример. Рассчитать коэффициент шума каскада резонансного усилителя на полевом транзисторе типа К.П301 с общим «стоком в режиме согласования на двух частотах 30 МГц и 100 МГц. Каскад должен обеспечить требуемую полосу пропускания, определяемую эквивалентным затуханием контура 0,1.
Проводимость и емкость источника сигнала соответственно равны: 5 мСм и 10 пф. Потерями в контуре можно пренебречь (dK = 0); t3 =1,2; tc=1. Транзистор КП301 в типовом режиме при токе стока 5 мА и напряжении на стоке 15 В имеет следующие параметры: на частоте 30 МГц 0,025 мСм; 0,8 мСм; 0,805 мСм; 0,2 мСм, 0,12 мСм; 0,5 мСм; на частоте 100 МГц 0,05 мСм; 0,8 мСм; 0,806 мСм; 0,7 мСм; 0,15 мСм; 1,2 мСм.
На частотах 30 и 100 МГц проводимость источника сигнала значительно больше входной проводимости транзистора, поэтому эквивалентную емкость контура рассчитываем по формуле, полагая т2 = 1.
